近日，在国家自然科学基金等项目资助下，中科院宁波材料所研究员李润伟团队采用超导元素Nb作为阳极，制备一种“三明治”结构，通过精确控制电阻转变过程，在该结构中首次观察到了导电丝的低温超导行为和室温量子电导行为。进而，他们在该结构中观察到了半整数的量子电导现象，而且可以通过控制限流和所施加的电压对电导态进行精确调控。

这一发现证实了可以通过外加电场的方法在固体介质中构建原子尺度的纳米点接触结构，并在室温下实现电导量子化。不仅为实现基于电致电阻效应的电阻型随机存储器（RRAM）的多态存储提供了新思路，也为人工构建原子尺度的纳米结构提供了一个新方法。

相关结果近日发表在材料学权威杂志《先进材料》（Advanced Materials），并被评选为该期的内刊封面文章。

基于电致电阻效应的电阻型随机存储器是一种极具发展潜力的新兴存储技术，具有非易失性、低功耗、超高密度、快速读写等优势。目前开展稳定的新型电致电阻材料的探索以及阻变机理研究非常重要。

2011年，该研究组证实了金属导电丝从正极向负极生长，通断位置发生在负极附近，为理解阻变机制、精确控制导电丝的通断、实现RRAM器件的稳定读写过程提供了重要的实验依据。