石墨烯在常温下在SiO₂衬底上其电子迁移率超过15000 cm²/V?s，比硅晶体高1个数量级，极有可能用于切换速度更快的新一代电子元件。但是纯石墨烯本身是零能隙的半导体，不能直接作为高效的室温场效应晶体管。如何在保持石墨烯高迁移率的同时，打开一个可控的能隙是目前石墨烯领域最重要的课题之一。

北京大学物理学院纳米物理研究团队的吕劲高政祥老师提出一种解决方案，即把石墨烯夹在平面的六角BN片之间，形成一个三明治结构。六角BN片与常用的SiO₂ 衬底比不存在悬挂键，可以减少石墨烯不规则度、自掺杂和化学活性，有利于提高石墨烯电子迁移率。另外六角BN片晶格尺寸与石墨烯基本匹配，但化学势不同，当这两种材料复合在一起，石墨烯的AB格子对称性将受到破坏。他们发现在合适的堆叠方式下，石墨烯可以打开0.16 eV的能隙。如果对BN片/石墨烯/BN片复合结构加上垂直电场，能隙可以进一步提高到0.34 eV。考虑多体效应作GW修正后，能隙可增加50%以上，可以满足实际逻辑器件的需要。通过有效质量计算，他们发现石墨烯的高迁移率在能隙打开后仍然可以维持。第一性原理量子输运计算也显示基于此三明治结构的双门场效应管具有电场增强的输运能隙，且电流开关比相比纯单层石墨烯场效应管大8倍。理论上讲，BN片/石墨烯/BN片三明治结构是目前连续调控单层石墨烯能隙又能维持高迁移率的最有效的方法之一。相关工作发表在最新一期的《亚洲材料》上。