中科院近代物理研究所科研人员将320kV高压平台提供的氦离子和氧离子联合注入单晶硅，研究氦离子注入所导致的氦泡和纳米空腔与氧原子的相互作用机理，获得进展。

实验中，科研人员首先向单晶硅中注入30keV、3×10¹⁶/cm²的氦离子，然后将样品切成两块：一块做退火处理，退火温度为1073K，退火时间为30分钟；另外一块不做退火处理。实验清楚地表明：退火前样品内部存在高密度的氦泡。

科研人员将注氦后的样品再注入100keV的氧离子，剂量为3×10¹⁶/cm²。再选择一块单晶硅，注入同样条件的氧离子。氧离子注入完成后，经高温退火处理（1423K，3h和1473K，2h），退火气氛为Ar/O₂（100/10）。利用截面透射电镜研究了样品内部的微结构氧原子分布，发现氦、氧离子联合注入能够提高样品内部氧的含量，降低样品内部缺陷的密度。

这些研究表明：氦离子注入所导致的纳米气泡能够有效地捕获氧原子和硅间隙子，这为今后研究如何制备低缺陷密度的超薄silicon-on-insulator（SOI）材料提供了重要参考数据。