近日，毫米波GaN功率器件在中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。

毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构，有效缩短了栅长，降低了寄生电容。其截止频率（fT）104.3GHz，最高振荡频率（fmax）达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm，并进行了30G下的功率测试，是国内目前已知相关研究中的最高频性能。

GaN器件和电路是一直是国内外的研究热点，在光电子和微电子领域有着广阔的应用前景。毫米波GaN功率器件在研究中面临着材料和器件设计、关键技术等多方面的难题，微电子所毫米波研究小组大胆创新，在各个材料单位的密切配合下，获得重大突破，攻克了多项关键技术难关，建立了完整的工艺流程，极大的推动了国内GaN器件与电路的研究进展。

　　　　图1　最高截止频率fT =104.3GHz

　　图2　最高振荡频率fmax=160GHz