寻找新的电阻效应，实现大的电阻变化率一直是物理学和材料学领域的一个研究热点。最近一期的《先进材料》（Advanced Materials; DOI: 10.1002/adma.200903070）报道了上海交大物理系王辉副教授课题小组的最新研究成果：“基于金属-氧化物-半导体（MOS）结构的双极性电阻效应”。该小组经过几年的实验研究发现，通过操控激光，可以在某些金属-氧化物-半导体（MOS）结构中实现大的电阻变化率和空间分辨率，而且电阻变化呈现双极性的特点，这些特性对于研制新型光电器件，特别是研制新一代海量超高密度存储器具有很大的应用潜力。